半導(dǎo)體有本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體兩種。純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。
物質(zhì)的導(dǎo)電性能決定于原子結(jié)構(gòu)，導(dǎo)體一般為低價(jià)元素，外層電子易成為自由電子產(chǎn)生定向
移動(dòng)，形成電流。高價(jià)元素導(dǎo)電性極差，成為絕緣體。半導(dǎo)體器件是構(gòu)成電子電路的基本元
件，它們所用的材料是經(jīng)過(guò)特殊加工且性能可控的半導(dǎo)體材料。

常用的半導(dǎo)體材料硅和鍺均為四價(jià)元素，它們最外層電子即不像導(dǎo)體容易掙脫原子核的
束縛，也不像絕緣體被原子核束縛得那么緊，因而其導(dǎo)電性介于二者之間。在形成晶體結(jié)構(gòu)
的半導(dǎo)體中，人為地?fù)饺胩囟ǖ碾s質(zhì)元素時(shí)，導(dǎo)電性能具有可控性，并且在光照和熱輻射條
件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化，這些特殊性質(zhì)就決定了半導(dǎo)體可以制成各種電子元件。

通過(guò)擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入少量合適的雜質(zhì)元素，便可得到雜質(zhì)半導(dǎo)體。摻入的
雜質(zhì)元素不同，可形成 N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體，控制摻入雜質(zhì)的濃度，就可控制雜質(zhì)半
導(dǎo)體的導(dǎo)電性能。在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成
了N型半導(dǎo)體。在純凈的硅原子中摻入三價(jià)元素，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型
半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體中多子和少子的濃度，決定了溫度對(duì)半導(dǎo)體器件性能的影響。

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